Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D… | PartsPC.pl
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D… | PartsPC.pl
Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right
zoom_in
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D… | PartsPC.pl
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D… | PartsPC.pl

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND

311,19 zł
Brutto

warehouse Wybierz magazyn

Magazyn

local_shipping Zamów do 16:00 — wyślemy dzisiaj!
calendar_today Przewidywana dostawa: wtorek, 18 sierpnia (jutro)
verified_user
Bezpieczne zakupy SSL i bezpieczne płatności
local_shipping
Szybka dostawa Zamów do 16:00 — wyślemy dziś
replay
Zwrot 14 dni na zwrot towaru
security
Gwarancja Pełna gwarancja producenta
Loading...
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND

HIKSEMI

Kod producenta: HS-SSD-WAVE(S)(STD)/512G/SATA/WW

✓ 512 GB  |  ✓ SATA III (6 Gb/s)  |  ✓ 36

Najwazniejsze informacje

✓
Pojemność dysku512 GB
✓
InterfejsSATA III (6 Gb/s)
✓
Gwarancja producenta [mies.]36
✓
Format dysku2,5 cala

Specyfikacja techniczna

Pojemność dysku512 GB
Format dysku2,5 cala
Typ dyskuSSD
Typ kości pamięci3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIMTak
InterfejsSATA III (6 Gb/s)
Prędkość odczytu (max)530 MB/s
Prędkość zapisu (max)450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written)170.0
Odczyt losowy63000 IOPS
Zapis losowy69000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1500000 h
Kolor obudowyCzarno-zielony (Black-green)
Informacje dodatkoweMaksymalny pobór prądu: 1.9 W
Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F)
Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - +185°F)
Gwarancja producenta [mies.]36

Opakowanie

Dlugosc155,00
Szerokosc10,00
Wysokosc120,00
Waga0,18
HIKSEMI
HS-SSD-WAVE(S)(STD)/512G/SATA/WW
238 Przedmioty

Opis

SATA III
Interfejs
SSD
Typ dysku
512 GB
Pojemność dysku
Czarno-zielony (Black-green)
Kolor obudowy
36
Gwarancja producenta [mies.]
2,5 cala
Format dysku
530 MB/s
Prędkość odczytu (max)
450 MB/s
Prędkość zapisu (max)
1500000 h
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
63000 IOPS
Odczyt losowy
69000 IOPS
Zapis losowy
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
170.0
TBW (ang. Total Bytes Written)
3D NAND
Typ kości pamięci
Maksymalny pobór prądu: 1.9 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F), Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - +185°F)
Informacje dodatkowe

Specyficzne kody

EAN13
6974202725617

Zgodnie z rozporządzeniem UE 2023/988 (GPSR) informujemy o producencie produktu oraz podmiocie odpowiedzialnym w UE.

Producent:
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District, 310000 Hangzhou (CN)
Osoba/podmiot odpowiedzialny w UE:
INCOM GROUP S.A.
MOKRONOSKA 6, 52-407 WROCŁAW (PL)
📞 +48713588000
chat Komentarze (0)

16 innych produktów w tej samej kategorii:

Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right

Ostatnio przeglądane

Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right

Zobacz także

Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right