Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1… | PartsPC.pl
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1… | PartsPC.pl
Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right
zoom_in
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1… | PartsPC.pl
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1… | PartsPC.pl

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1200/950 MB/s)

159,90 zł
Brutto

warehouse Wybierz magazyn

Magazyn

local_shipping Zamów do 16:00 — wyślemy dzisiaj!
calendar_today Przewidywana dostawa: wtorek, 18 sierpnia (jutro)
verified_user
Bezpieczne zakupy SSL i bezpieczne płatności
local_shipping
Szybka dostawa Zamów do 16:00 — wyślemy dziś
replay
Zwrot 14 dni na zwrot towaru
security
Gwarancja Pełna gwarancja producenta
Loading...
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1200/950 MB/s) 3D NAND

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 128GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (1200/950 MB/s) 3D NAND

HIKSEMI

Kod producenta: HS-SSD-WAVE(P)(STD)/128G/PCIE3/WW

✓ 128 GB  |  ✓ M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe  |  ✓ 36

Najwazniejsze informacje

✓
Pojemność dysku128 GB
✓
InterfejsM.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
✓
Gwarancja producenta [mies.]36
✓
Format dyskuM.2 2280

Specyfikacja techniczna

Pojemność dysku128 GB
Format dyskuM.2 2280
Typ dyskuSSD
Typ kości pamięci3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIMTak
InterfejsM.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max)1200 MB/s
Prędkość zapisu (max)950 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written)80.0
Odczyt losowy55000 IOPS
Zapis losowy180000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1500000 h
Kolor obudowyCzarny (Black)
Informacje dodatkoweMaksymalny pobór prądu: 1.3 W
Temperatura pracy: 0°C - 70°C
Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta [mies.]36

Opakowanie

Dlugosc150,00
Szerokosc125,00
Wysokosc1,00
Waga0,02
HIKSEMI
HS-SSD-WAVE(P)(STD)/128G/PCIE3/W
37 Przedmioty

Opis

M.2 NVMe PCIe 3.0
Interfejs
SSD
Typ dysku
128 GB
Pojemność dysku
Czarny (Black)
Kolor obudowy
36
Gwarancja producenta [mies.]
M.2 2280
Format dysku
1200 MB/s
Prędkość odczytu (max)
950 MB/s
Prędkość zapisu (max)
1500000 h
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
55000 IOPS
Odczyt losowy
180000 IOPS
Zapis losowy
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
80.0
TBW (ang. Total Bytes Written)
3D NAND
Typ kości pamięci
Maksymalny pobór prądu: 1.3 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Informacje dodatkowe

Specyficzne kody

EAN13
6974202725693

Zgodnie z rozporządzeniem UE 2023/988 (GPSR) informujemy o producencie produktu oraz podmiocie odpowiedzialnym w UE.

Producent:
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District, 310000 Hangzhou (CN)
Osoba/podmiot odpowiedzialny w UE:
INCOM GROUP S.A.
MOKRONOSKA 6, 52-407 WROCŁAW (PL)
📞 +48713588000
chat Komentarze (0)

16 innych produktów w tej samej kategorii:

Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right

Zobacz także

Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right