=== Pobierz SeoSafeProductWriter do edycji === Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3… | PartsPC.pl

Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC

567,83 zł
Brutto

warehouse Wybierz magazyn

Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC to dysk SSD o pojemności 250 GB. Zapewnia szybki dostęp do danych i krótki czas uruchamiania systemu.

Magazyn

local_shipping Zamów do 16:00 — wyślemy dzisiaj!
calendar_today Przewidywana dostawa: środę, 20 maja (jutro)
verified_user
Bezpieczne zakupy SSL i bezpieczne płatności
local_shipping
Szybka dostawa Zamów do 16:00 — wyślemy dziś
replay
Zwrot 14 dni na zwrot towaru
security
Gwarancja Pełna gwarancja producenta

Bezpieczeństwo produktu (GPSR)

Producent:
SAMSUNG
PO Box 12987, D01F5P Dublin (IE)
www.samsung.com/support
Loading...

verified_user Gwarancja

Okres: 60 miesięcy (Normalna)

Dokumenty:

Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC

Dysk SSD Samsung 870 EVO 250GB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC to dysk SSD o pojemności 250 GB. Zapewnia szybki dostęp do danych i krótki czas uruchamiania systemu.

250 GB Pojemność dysku
SATA III (6 Gb/s) Interfejs
Czarny (Black) Kolor obudowy
512 MB Cache

Wydajność i niezawodność

Interfejs: SATA III (6 Gb/s).

Specyfikacja techniczna

Cache 512 MB
Format dysku 2,5 cala
Interfejs SATA III (6 Gb/s)
Kolor obudowy Czarny (Black)
Odczyt losowy 98000 IOPS
Pojemność dysku 250 GB
Prędkość odczytu (max) 560 MB/s
Prędkość zapisu (max) 530 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) 1500000 h
Technika zapisywania danych TLC
Typ dysku SSD
Typ kości pamięci V-NAND
Typ złącza 7-pin S-ATA
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. Tak
Wsparcie dla technologii TRIM Tak
Zapis losowy 88000 IOPS
SAMSUNG
MZ-77E250B/EU
10 Przedmioty

Opis

SATA III (6 Gb/s)
Interfejs
SSD
Typ dysku
250 GB
Pojemność dysku
Czarny (Black)
Kolor obudowy
7-pin S-ATA
Typ złącza
2,5 cala
Format dysku
560 MB/s
Prędkość odczytu (max)
530 MB/s
Prędkość zapisu (max)
TLC
Technika zapisywania danych
512 MB
Cache
1500000 h
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
98000 IOPS
Odczyt losowy
88000 IOPS
Zapis losowy
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
V-NAND
Typ kości pamięci
Storage memory: amsung V-NAND 3bit MLC, Dimension (WxHxD): 100 X 69.85 X 6.8 (mm), Weight: Apporx. 45.0g, Controller: Samsung MKX Controller, Cache Memory: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM, Auto Garbage Collection Algorithm, AES 256-bit Encryption (…
Informacje dodatkowe

Specyficzne kody

EAN13
8806090545931
chat Komentarze (0)
Ładowanie...