=== Pobierz SeoSafeProductWriter do edycji === Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 1TB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (245… | PartsPC.pl

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 1TB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (2450/2450 MB/s) 3D

658,67 zł
Brutto

warehouse Wybierz magazyn

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 1TB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (2450/2450 MB/s) 3D Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 1TB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (2450/2450 MB/s) 3D to dysk SSD o pojemności 1 TB. Zapewnia szybki dostęp do danych i krótki czas uruchamiania systemu.

Magazyn

local_shipping Zamów do 16:00 — wyślemy dzisiaj!
calendar_today Przewidywana dostawa: środę, 20 maja (jutro)
verified_user
Bezpieczne zakupy SSL i bezpieczne płatności
local_shipping
Szybka dostawa Zamów do 16:00 — wyślemy dziś
replay
Zwrot 14 dni na zwrot towaru
security
Gwarancja Pełna gwarancja producenta

Bezpieczeństwo produktu (GPSR)

Producent:
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District, 310000 Hangzhou (CN)
Loading...

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 1TB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (2450/2450 MB/s) 3D

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 1TB M.2 PCIe NVMe Gen3x4 2280 (2450/2450 MB/s) 3D to dysk SSD o pojemności 1 TB. Zapewnia szybki dostęp do danych i krótki czas uruchamiania systemu.

1 TB Pojemność dysku
M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe Interfejs
Czarny (Black) Kolor obudowy
M.2 2280 Format dysku

Wydajność i niezawodność

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe.

Specyfikacja techniczna

Format dysku M.2 2280
Interfejs M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Kolor obudowy Czarny (Black)
Odczyt losowy 146000 IOPS
Pojemność dysku 1 TB
Prędkość odczytu (max) 2450 MB/s
Prędkość zapisu (max) 2450 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) 1500000 h
TBW (ang. Total Bytes Written) 240.0
Typ dysku SSD
Typ kości pamięci 3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIM Tak
Zapis losowy 128000 IOPS
HIKSEMI
HS-SSD-WAVE(P)(STD)/1024G/PCIE3/
100 Przedmioty

Opis

M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Interfejs
SSD
Typ dysku
1 TB
Pojemność dysku
Czarny (Black)
Kolor obudowy
36
Gwarancja producenta [mies.]
M.2 2280
Format dysku
2450 MB/s
Prędkość odczytu (max)
2450 MB/s
Prędkość zapisu (max)
1500000 h
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
146000 IOPS
Odczyt losowy
128000 IOPS
Zapis losowy
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
240.0
TBW (ang. Total Bytes Written)
3D NAND
Typ kości pamięci
Maksymalny pobór prądu: 3.1 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Informacje dodatkowe

Specyficzne kody

EAN13
6974202725723
chat Komentarze (0)
Ładowanie...