Dysk SSD Samsung 9100 PRO Heatsink 4TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
5 478,47 zł
Brutto
warehouse Wybierz magazyn
Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC
Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem)
Waga: Maks. 28 g
Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0
Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %
Temperatura pracy: 0°C - 70°C
Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa)
Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem)
Waga: Maks. 28 g
Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0
Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %
Temperatura pracy: 0°C - 70°C
Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa)
Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
MZ-VAP4T0CW
10 Przedmioty
Opis
M.2 PCIe NVMe
Interfejs
SSD
Typ dysku
4 TB
Pojemność dysku
60
Gwarancja producenta [mies.]
M.2 2280
Format dysku
14800 MB/s
Prędkość odczytu (max)
13400 MB/s
Prędkość zapisu (max)
TLC
Technika zapisywania danych
1500000 h
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
2200000 IOPS
Odczyt losowy
2600000 IOPS
Zapis losowy
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
2400.0
TBW (ang. Total Bytes Written)
V-NAND
Typ kości pamięci
Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem), Waga: Maks. 28 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5…
Informacje dodatkowe
Specyficzne kody
- EAN13
- 8806095811659
chat
Komentarze (0)
16 innych produktów w tej samej kategorii:
Ostatnio przeglądane