Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 256GB M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 (2… | PartsPC.pl
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 256GB M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 (2… | PartsPC.pl
Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right
zoom_in
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 256GB M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 (2… | PartsPC.pl
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 256GB M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 (2… | PartsPC.pl

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 256GB M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 (2280/1800 MB/s)

221,40 zł
Brutto

warehouse Wybierz magazyn

Magazyn

local_shipping Zamów do 16:00 — wyślemy dzisiaj!
calendar_today Przewidywana dostawa: wtorek, 18 sierpnia (jutro)
verified_user
Bezpieczne zakupy SSL i bezpieczne płatności
local_shipping
Szybka dostawa Zamów do 16:00 — wyślemy dziś
replay
Zwrot 14 dni na zwrot towaru
security
Gwarancja Pełna gwarancja producenta
Loading...
Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 256GB M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 (2280/1800 MB/s) 3D NAND

Dysk SSD HIKSEMI WAVE (P) 256GB M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 (2280/1800 MB/s) 3D NAND

HIKSEMI

Kod producenta: HS-SSD-WAVE(P)(STD)/256G/PCIE3/WW

✓ 256 GB  |  ✓ M.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe  |  ✓ 36

Najwazniejsze informacje

✓
Pojemność dysku256 GB
✓
InterfejsM.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
✓
Gwarancja producenta [mies.]36
✓
Format dyskuM.2 2280

Specyfikacja techniczna

Pojemność dysku256 GB
Format dyskuM.2 2280
Typ dyskuSSD
Typ kości pamięci3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIMTak
InterfejsM.2 PCIe Gen. 3.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max)2280 MB/s
Prędkość zapisu (max)1800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written)100.0
Odczyt losowy90000 IOPS
Zapis losowy320000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)1500000 h
Kolor obudowyCzarny (Black)
Informacje dodatkoweMaksymalny pobór prądu: 1.6 W
Temperatura pracy: 0°C - 70°C
Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta [mies.]36

Opakowanie

Dlugosc150,00
Szerokosc10,00
Wysokosc125,00
Waga0,02
HIKSEMI
HS-SSD-WAVE(P)(STD)/256G/PCIE3/W
300 Przedmioty

Opis

M.2 NVMe PCIe 3.0
Interfejs
SSD
Typ dysku
256 GB
Pojemność dysku
Czarny (Black)
Kolor obudowy
36
Gwarancja producenta [mies.]
M.2 2280
Format dysku
2280 MB/s
Prędkość odczytu (max)
1800 MB/s
Prędkość zapisu (max)
1500000 h
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
90000 IOPS
Odczyt losowy
320000 IOPS
Zapis losowy
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
100.0
TBW (ang. Total Bytes Written)
3D NAND
Typ kości pamięci
Maksymalny pobór prądu: 1.6 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Informacje dodatkowe

Specyficzne kody

EAN13
6974202725709

Zgodnie z rozporządzeniem UE 2023/988 (GPSR) informujemy o producencie produktu oraz podmiocie odpowiedzialnym w UE.

Producent:
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District, 310000 Hangzhou (CN)
Osoba/podmiot odpowiedzialny w UE:
INCOM GROUP S.A.
MOKRONOSKA 6, 52-407 WROCŁAW (PL)
📞 +48713588000
chat Komentarze (0)

16 innych produktów w tej samej kategorii:

Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right

Zobacz także

Poprzedni keyboard_arrow_left
Następny keyboard_arrow_right