Samsung Dysk SSD 9100 PRO NVMe MZ-VAP2T0BW | PartsPC.pl

Samsung Dysk SSD 9100 PRO NVMe MZ-VAP2T0BW

0,00 zł
Brutto

warehouse Wybierz magazyn

Magazyn

local_shipping Zamów teraz — wyślemy jutro rano!
calendar_today Przewidywana dostawa: środę, 20 maja (za 2 dni)
verified_user
Bezpieczne zakupy SSL i bezpieczne płatności
local_shipping
Szybka dostawa Zamów do 16:00 — wyślemy dziś
replay
Zwrot 14 dni na zwrot towaru
security
Gwarancja Pełna gwarancja producenta
Loading...

Niewiarygodne osiągi PCIe 5.0
Wyciśnij z modelu PCIe 5.0 wszystko, co może on zaoferować. Dysk 9100 PRO oferuje niewiarygodnie wysokie prędkości odczytu/zapisu sekwencyjnego wynoszące do 14800/13400 MB/s - oznacza to, że jest dwa razy szybszy od modelu 990 PRO. Zapomnij o limitach typowych dla Gen4, ciesząc się prędkością odczytu/zapisu losowego wynoszącą do 2200K/2600 IOPS, którą oferuje tylko wersja Gen5.

Niezwykła zdolność do jednoczesnego wykonywania wielu zadań
Zapomnij o ograniczeniach wydajności. Ultrawysokie prędkości odczytu/zapisu losowego umożliwiają bardzo szybkie równoległe przetwarzanie niezliczonych ilości pofragmentowanych danych w tempie do 2200K/2600K IOPS. Ciesz się szybkimi czasami reakcji i szybkim ładowaniem podczas zabawy z dużymi grami, przy wykonywaniu wymagających operacji oraz przy pracy z aplikacjami AI.

Superszybkie wsparcie dla twórców wykorzystujących AI
Inteligencja, która na nowo definiuje wydajność Zapomnij o ograniczeniach w pracy i ciesz się zintegrowanymi możliwościami tworzenia treści AI PC oraz AI dzięki ultrawysokim prędkościom odczytu/zapisu losowego uzyskiwanym przez model 9100 PRO (wynoszącym odpowiednio do 2.200K/2.600K IOPS). Natychmiastowe ładowanie danych, wolne od zacięć rozgrywki, wysoka wydajność.

Doskonale sprawdzi się w każdych warunkach
Zyskaj jeszcze większą przewagę nad konkurencją Bezproblemowo edytuj materiały wideo, sztukę 3D czy nawet długie sesje streamingowe dzięki najnowszym interfejsom PCIe 5.0. Ciesz się ultrawysoką wydajnością w każdym miejscu, o każdym czasie i na każdym urządzeniu - wybierz dysk o wielkości, która najlepiej odpowiada twoim potrzebom (do 8TB).

Niezwykła wydajność energetyczna
Topowe parametry pracy, bez żadnych przerw Zaawansowana architektura energetyczna sterownika oparta na technologii 5 nm podnosi wydajność energetyczną nawet o 49% w stosunku do modelu 990 PRO. Wyjątkowo skuteczne zarządzanie energią sprawia, że nic nie jest w stanie zakłócić twojej pracy - teraz możesz cieszyć się nawet najbardziej wymagającymi programami, korzystając z maksymalnej wydajności PCIe 5.0.

Aplikacja Samsung Magician
Sprawia, by twój dysk SSD działał w sposób iście magiczny. Narzędzia optymalizacyjne aplikacji Samsung Magician zapewniają najlepszą wydajność dysku SSD. To bezpieczny i łatwy sposób na migrację wszystkich danych w celu wymiany dysku na rozwiązanie SSD marki Samsung. Chroni cenne dane, monitoruje stan dysku i pobiera najnowsze aktualizacje oprogramowania układowego.

Innowacyjność w praktyce
Pamięci flash NAND firmy Samsung od dziesięcioleci zasilają przełomowe technologie, które zmieniły każdy aspekt naszego codziennego życia. Technologia flash NAND została także zastosowana w naszych dyskach SSD i stanowi silny impuls dla kolejnych innowacji.

SAMSUNG
MZ-VAP2T0BW
6 Przedmioty

Opis

Czarny
Kolor (wyliczeniowy)
M.2 PCIe NVMe
Interfejs
CE+WEEE
Uwaga
60 miesięcy - Gwarancja normalna
Gwarancja
9g
Waga
9100 PRO
Model
SSD
Typ dysku
M.2 2280
Format szerokości dysku
Wewnętrzny
Typ napędu
2 TB
Pojemność dysku
PCIe 5.0
Interfejs dysku
1500000h
Czas pracy pomiędzy awariami (MTBF)
14700MB/s
Prędkość odczytu
13400MB/s
Prędkość zapisu
1850K
Ilość operacji odczytu IOPS (maks.)
2600K
Ilość operacji zapisu IOPS (maks.)
22.15mm
Wysokość
80.15mm
Szerokość
2.38mm
Głębokość
60
Gwarancja producenta [mies.]
M.2 2280
Format dysku
14700 MB/s
Prędkość odczytu (max)
13400 MB/s
Prędkość zapisu (max)
TLC
Technika zapisywania danych
1500000 h
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
1850000 IOPS
Odczyt losowy
2600000 IOPS
Zapis losowy
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
1200.0
TBW (ang. Total Bytes Written)
V-NAND
Typ kości pamięci
Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80,15 x Maks 22,15 x Maks 2,38mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinus…
Informacje dodatkowe

Specyficzne kody

EAN13
8806095811710
chat Komentarze (0)
Ładowanie...