Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC
Wymiary: Maks. 80,15 x Maks 22,15 x Maks 2,38mm
Waga: Maks. 9 g
Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0
Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %
Temperatura pracy: 0°C - 70°C
Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa)
Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
MZ-VAP1T0BW
5 Przedmioty
Opis
- Interfejs
- M.2 PCIe NVMe
- Typ dysku
- SSD
- Pojemność dysku
- 1 TB
- Gwarancja producenta [mies.]
- 60
- Format dysku
- M.2 2280
- Prędkość odczytu (max)
- 14700 MB/s
- Prędkość zapisu (max)
- 13300 MB/s
- Technika zapisywania danych
- TLC
- Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
- 1500000 h
- Odczyt losowy
- 1850000 IOPS
- Zapis losowy
- 2600000 IOPS
- Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
- Tak
- Wsparcie dla technologii TRIM
- Tak
- TBW (ang. Total Bytes Written)
- 600.0
- Typ kości pamięci
- V-NAND