Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 4TB Pcie 5.0

990 EVO Plus PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 4TB

Wyższa wydajność na codzień

3 najważniejsze cechy:

Wydajność

Szybkość odczytu sekwencyjnego do 7 250 MB/s - o 45% większa prędkość niż w poprzednim modelu.

Efektywność energetyczna

Zwiększona efektywność energetyczna o 73%, przy jednoczesnym zachowaniu wydajności i kontroli termicznej.

Wszechstronność

Rozszerzona pojemność do 4 TB i szybki IntelligentTurboWrite 2.0

Spektakularna prędkość każdego dnia

Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zwiększone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7,250/ 6,300 MB/s. Natychmiastowy transfer ogromnych plików.

* Wydajność zapisu sekwencyjnego i losowego zmierzono przy włączonej technologii Intelligent Turbo Write. Funkcja Intelligent Turbo Write działa tylko w ramach określonego rozmiaru transferu danych. Wydajność może się różnić w zależności od oprogramowania układowego dysku SSD, sprzętu i konfiguracji systemu oraz innych czynników. Szczegółowe informacje dostępne w lokalnym centrum serwisowym.* Konfiguracja systemu testowego: AMD Ryzen9 7950x 16-Core Processor CPU@4.5GHz, DDR5 4800MHz 16GBx2 (PC5-38400), OS-Windows 11 Pro 64bit, Chipset - ASRock X670E Taichi* Aby zmaksymalizować wydajność 990 EVO Plus, należy sprawdzić, czy system obsługuje PCIe® 4.0 lub PCIe® 5.0 na stronie internetowej Intel lub AMD.* Wizualizacja produktu może odbiegać od rzeczywistego wyglądu.

Inteligentne zarządzanie energią cieplną

Dodatkowa przestrzeń. Dodatkowa prędkość.

Oprogramowanie Samsung Magician

Innowacyjność w praktyce

Specyfikacja:

• Zastosowanie

  Komputery klienckie

• Interfejs

  PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

• Wymiary (SxWxG) mm

  Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm

• Waga

  Waga maks 9,0g

• Wydajność

  Do 7,250 MB/s * Wydajność zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

• Zapis sekwencyjny

  Do 6,300 MB/s * Wydajność zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

• Gwarancja

  Ograniczona gwarancja 5-letnia lub ograniczona gwarancja 2400TBW

• Pamięć zapisu

  Samsung V-NAND TLC

• Sterownik

  Autorski sterownik Samsung

• Pamieć podręczna

  HMB (bufor pamięci hosta)

• Obsługa TRIM

  Tak

• S.M.A.R.T Support

  Tak

• Odśmiecanie

  Algorytm Auto Garbage Collection

• Szyfrowanie

  Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0)TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)

• Obsługa WWN

  Nie

• Tryb uśpienia

  Tak

• Oprogramowanie zarządzające

  Aplikacja Magician do zarządzania dyskami SSD

Wydajność:

• Odczyt sekwencyjny

  Do 7,250 MB/s * Wydajność zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

• Zapis sekwencyjny

  Do 6,300 MB/s * Wydajność zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

• Odczyt losowy (4KB, QD32)

  Do 1,050,000 IOPS * Wydajność zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

• Zapis losowy (4KB, QD32)

  Do 1,400,000 IOPS * Wydajność zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

Środowisko:

• Średni pobór mocy (poziom systemu)

  Średnio: odczyt 5.5 W / zapis 4.8 W * Rzeczywisty pobór mocy zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

• Pobór mocy (spoczynek)

  Typowo 60 mW * Rzeczywisty pobór mocy zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

• Power Consumption (Device Sleep)

  Typowo 5 mW * Rzeczywisty pobór mocy zależy od sprzętu i konfiguracji systemu

• Dopuszczalne napięcie

  Dopuszczalne napięcie 3.3 V ± 5 %

• Średni czas bezawaryjnej pracy

  Niezawodność (MTBF) przez 1,5 miliona godzin

• Temperatura pracy

  Temperatura robocza 0 - 70 ℃

• Odporność na wstrząsy

  1,500 G oraz 0.5 ms (półokres sinusoidy)