Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC
Wymiary: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
Waga: Maks. 9 g
Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %
Temperatura pracy: 0°C - 70°C
Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
MZ-V9S4T0BW
5 Przedmioty
Opis
- Interfejs
- M.2 PCIe NVMe
- Typ dysku
- SSD
- Pojemność dysku
- 4 TB
- Gwarancja producenta [mies.]
- 60
- Rodzina dysków
- 990 EVO Plus
- Format dysku
- M.2 2280
- Prędkość odczytu (max)
- 7250 MB/s
- Prędkość zapisu (max)
- 6300 MB/s
- Technika zapisywania danych
- TLC
- Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
- 1500000 h
- Odczyt losowy
- 1050000 IOPS
- Zapis losowy
- 1400000 IOPS
- Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
- Tak
- Wsparcie dla technologii TRIM
- Tak
- TBW (ang. Total Bytes Written)
- 2400.0
- Typ kości pamięci
- V-NAND