Dysk SSD Samsung 990 EVO 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (5000/4200 MB/s)
SAMSUNG
Kod producenta: MZ-V9E2T0BW
✓ 2 TB | ✓ M.2 PCIe NVMe | ✓ 60
Najwazniejsze informacje
✓
Gwarancja producenta [mies.] 60
Zdjecia produktu
Specyfikacja techniczna
Rodzina dysków 990 EVO
Pojemność dysku 2 TB
Format dysku M.2 2280
Typ dysku SSD
Typ kości pamięci V-NAND
Technika zapisywania danych TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. Tak
Wsparcie dla technologii TRIM Tak
Interfejs M.2 PCIe NVMe
Typ złącza M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max) 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max) 4200 MB/s
Odczyt losowy 700000 IOPS
Zapis losowy 800000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) 1500000 h
Informacje dodatkowe Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm Waga: Maks. 9 g Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 % Temperatura pracy: 0°C - 70°C Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy) Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
Gwarancja producenta [mies.] 60
Opakowanie
Dlugosc 20,00
Szerokosc 95,00
Wysokosc 145,00
Waga 0,08
Indeks
MZ-V9E2T0BW
W magazynie
100 Przedmioty
Opis
60
Gwarancja producenta [mies.]
5000 MB/s
Prędkość odczytu (max)
4200 MB/s
Prędkość zapisu (max)
TLC
Technika zapisywania danych
1500000 h
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
700000 IOPS
Odczyt losowy
Tak
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM
Pamięć zapisu: Samsung V-NAND 3-bit TLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, Interfejs: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinuso…
Informacje dodatkowe
Specyficzne kody
EAN13
8806095300269