SSD Samsung MZ-QL21T900 1,92TB 2,5" NVMe U.2 PCIe 4.0 x4 (6800/2700 MB/s)
- Pojemność dysku: 1,92 TB
- Format dysku: 2,5" U.2
- Typ dysku: SSD
- Typ kości pamięci: V-NAND
- Technika zapisywania danych: TLC
- Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
- Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
- Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
- Prędkość odczytu (max): 6800 MB/s
- Prędkość zapisu (max): 2700 MB/s
- TBW (ang. Total Bytes Written): 3504.0
- Odczyt losowy: 850000 IOPS
- Zapis losowy: 130000 IOPS
- Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
- Cechy: 1,92TB;6800/2700 MB/s
- Informacje dodatkowe: Wymiary: 100,2 x 69,85 x 7 mm
- Informacje dodatkowe: Temperatura pracy: 0-70°C
- Informacje dodatkowe: Odporność na wstrząsy: 1.500 G
- Okres rękojmi w miesiącach: 36
- Strona o towarze: https://semiconductor.samsung.com/ssd/datacenter-ssd/pm9a3/
- Kod producenta: MZQL21T9HCJR-00W07
MZQL21T9HCJR-00W07
10 Przedmioty
Opis
- Informacje dodatkowe
- Odporność na wstrząsy: 1.500 G
Temperatura pracy: 0-70°C
Wymiary: 100,2 x 69,85 x 7 mm
- Kod producenta
- MZQL21T9HCJR-00W07
- Cechy
- 1,92TB;6800/2700 MB/s
- Pojemność dysku
- 1,92 TB
- Interfejs
- PCIe NVMe 4.0 x4
- Format dysku
- 2,5" U.2
- Typ dysku
- SSD
- Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
- 2000000 h
- Technika zapisywania danych
- TLC
- Prędkość odczytu (max)
- 6800 MB/s
- Prędkość zapisu (max)
- 2700 MB/s
- TBW (ang. Total Bytes Written)
- 3504.0
- Typ kości pamięci
- V-NAND
- Odczyt losowy
- 850000 IOPS
- Zapis losowy
- 130000 IOPS
- Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.
- Tak
- Wsparcie dla technologii TRIM
- Tak